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(Incluye IVA)
IRF5210 TRANSISTOR MOSFET CANAL P -100V/-40A
- Mosfet HEXFET de Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A.
- Empaque TO-220.
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: -40A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: -100V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO220
